STFU14N80K5技术参数详情：
STFU14N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与12A的连续漏极电流（Id）处理能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了优异的动态性能平衡。在10V栅极驱动下，器件具备低至445毫欧的导通电阻（最大值）和仅22nC的栅极电荷（最大值）。这种特性组合能够有效降低导通损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）进一步确保了其在各种环境条件下的稳定性和可靠性。
- 型号:STFU14N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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