STFU15N80K5技术参数详情：
STFU15N80K5是ST意法半导体推出的MDmesh K5系列N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。其核心优势在于结合了800V的高漏源电压与优异的导通特性，在7A，10V条件下的导通电阻最大值仅为375毫欧，有助于显著降低导通损耗。
该器件同时具备快速的开关性能，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为32nC，有利于实现高效率的高频开关操作。其设计支持在-55°C至150°C的宽结温范围内工作，最大功率耗散为35W（Tc），为工业级电源转换、电机驱动及新能源应用提供了高可靠性的解决方案。
- 型号:STFU15N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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