STFU18N65M2

STFU18N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至330毫欧（@10V，6A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，同时在25°C壳温下支持12A的连续漏极电流。

其技术特性聚焦于提升功率转换效率。较低的栅极电荷（Qg，最大20nC）和输入电容（Ciss）有助于实现快速开关，减少开关损耗。这些参数使其成为要求高效率和高可靠性的中高功率开关电源设计的理想选择，适用于工业电源、电机驱动及照明系统等应用领域。

• 型号:STFU18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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