STFU28N65M2

STFU28N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心额定参数为650V漏源电压（V_DSS）和20A连续漏极电流（I_D），具备强大的高压大电流处理能力。

其技术优势主要体现在优异的动态与静态性能上。在10V驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至180毫欧（@10A），能有效降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_g，最大35nC）和输入电容特性，确保了快速、高效的开关行为，有助于提升整体电源系统的功率密度和能效。这些特性使其成为工业电源、PFC电路和各类开关电源中主功率开关的理想选择。

• 型号:STFU28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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