STFW24N60M2

STFW24N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-3PF通孔封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和18A（Tc）连续漏极电流，专为高效能、高可靠性的功率开关应用而优化。

其技术亮点在于实现了优异的性能平衡：在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）低至190毫欧（@9A），能有效降低传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为29nC（@10V），有利于实现快速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在提升系统效率方面表现突出。

该器件适用于工业电源、UPS、电机驱动等高要求领域，其工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在宽温环境下的稳定运行。请注意，此型号目前已处于停产状态。

• 型号:STFW24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO3PF
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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