STFW4N150

STFW4N150是意法半导体推出的一款采用ISOWATT-218FX封装的高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格为1500V漏源电压（V_DSS）和4A连续漏极电流（I_D），专为应对严苛的高压环境而设计。

其技术亮点在于通过优化的单元结构，在维持超高耐压的同时，实现了较低的导通电阻（7Ω @ 2A, 10V）和极低的栅极电荷（50nC @ 10V）。这一组合特性显著降低了开关损耗和驱动损耗，有助于提升电源系统的转换效率与开关频率。器件支持高达150°C的结温工作，功率耗散达63W，确保了在工业级应用中的高可靠性与鲁棒性。

• 型号:STFW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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