STFW60N65M5

STFW60N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用ISOWATT-218FX通孔封装，核心特性包括650V的漏源电压（V_DSS）和高达46A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其技术优势体现在极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为59毫欧，这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（139nC @10V）有助于实现快速的开关切换，提升系统整体效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及大功率照明等应用中高效能量转换的理想选择。

• 型号:STFW60N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 46A ISOWATT
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:59 毫欧 @ 23A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:139 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6810 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-3PF
• 封装/外壳:TO-3P-3 整包
• 现在可以订购STFW60N65M5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。