STGB10M65DF2技术参数详情：
STGB10M65DF2是意法半导体推出的一款650V、20A额定电流的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用表面贴装型DPAK封装。该器件基于沟槽型场截止技术，核心优势在于实现了低导通压降（典型值2V @ 10A）与快速开关性能的优异平衡，其低至28nC的栅极电荷有助于降低驱动损耗并提升开关频率。
该IGBT具备40A的脉冲电流处理能力，最大功耗为115W，并支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了其在恶劣环境下的稳定性和鲁棒性。其标准输入类型兼容常见的15V栅极驱动，结合快速的开关特性（典型开关能量120J/270J），使其成为追求高效率与高功率密度设计的理想选择，适用于工业电机驱动、电源转换及新能源逆变器等应用。
- 型号:STGB10M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:115 W
- 开关能量:120J（导通），270J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:28 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
- 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):96 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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