STGB20H60DF技术参数详情：
STGB20H60DF是ST意法半导体生产的一款表面贴装型IGBT，采用TO-263-3（D2PAK）封装。该器件集成了600V的击穿电压和40A的连续电流处理能力，基于沟槽型场截止技术，实现了低至2V @ 20A的饱和压降，有效降低了导通损耗。
其开关特性经过优化，具备较低的开关能量和90ns的反向恢复时间，支持高效率的功率切换。最大功耗为167W，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的高可靠性与热稳定性。此器件适用于要求高功率密度和高效能的工业电源与电机驱动应用。
- 型号:STGB20H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:209J（导通），261J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:115 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):90 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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