STGB20H65DFB2技术参数详情：
STGB20H65DFB2是ST意法半导体HB2系列中的一款650V、40A沟槽栅场截止IGBT，集成了超快恢复二极管。该器件在15V栅极驱动、20A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为2.1V，具备优异的导通特性，同时其低开关能量（开启265J，关断214J）和快速的开关速度（开启延迟16ns）有效降低了开关损耗。
其封装采用TO-263-4（DPak）表面贴装形式，支持高达175°C的工作结温，确保了高功率密度下的可靠运行。结合56nC的低栅极电荷和标准输入类型，该器件简化了驱动设计，主要面向高效率的工业电机驱动、开关电源、UPS以及消费类电器中的功率转换应用。
- 型号:STGB20H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:147 W
- 开关能量:265J（导通），214J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:56 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):215 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
- 供应商器件封装:D2PAK-3
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