STGB20NB37LZT4

STGB20NB37LZT4是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用PowerMESH技术的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用DPAK表面贴装封装。其核心电气参数包括425V集射极击穿电压、40A连续集电极电流以及高达175°C的结温工作能力，为功率系统设计提供了坚实的电压和电流处理基础。

该器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性的结合。在4.5V栅极驱动、20A集电极电流条件下，其最大饱和压降仅为2V，有助于显著降低导通损耗。同时，11.8mJ的关断开关能量与51nC的栅极电荷确保了其在开关应用中具备良好的动态性能与效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等中功率能量转换应用的理想选择。

• 型号:STGB20NB37LZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT 425V 40A 200W D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:-
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:425 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 4.5V，20A
• 功率 - 最大值:200 W
• 开关能量:11.8mJ（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:51 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:2.3s/2s
• 测试条件:250V，20A，1 千欧，4.5V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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