STGB30V60F技术参数详情：
STGB30V60F是ST意法半导体生产的一款有源、表面贴装型IGBT，属于晶体管-IGBT系列。该器件采用沟槽型场截止技术，核心电气规格为600V集射极击穿电压和60A最大集电极电流，脉冲电流能力达120A，为功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在低导通损耗与快速开关的平衡上，典型饱和压降仅为2.3V @ 15V, 30A，有助于降低导通功耗。同时，其开关能量（开383J，关233J）和开关延迟时间（开45ns，关189ns）参数优异，支持较高频率的开关操作。器件采用TO-263AB（DPak）封装，最大功耗260W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的高可靠性和稳定性。
- 型号:STGB30V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-263（D2PAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-263
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:383J（导通），233J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:163 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
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