STGB4M65DF2技术参数详情：
STGB4M65DF2是ST意法半导体M系列中的一款650V、8A沟槽栅场截止IGBT，采用TO-263AB表面贴装封装。该器件在15V栅极驱动下，4A电流时的最大饱和压降仅为2.1V，有效降低了导通损耗，同时其快速的开关特性（开启延迟12ns）与较低的开关能量有助于提升系统整体效率。
其设计兼顾了性能与鲁棒性，集电极脉冲电流能力达16A，结温工作范围覆盖-55°C至175°C，确保在严苛环境下稳定工作。该IGBT适用于需要高可靠性与高功率密度的工业级电源转换与电机控制应用。
- 型号:STGB4M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
- 功率 - 最大值:68 W
- 开关能量:40J（导通），136J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:15.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
- 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):133 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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