STGB7NB60HDT4技术参数详情：
STGB7NB60HDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、14A IGBT，采用表面贴装DPAK封装。其核心优势在于平衡了高电压处理能力与良好的开关性能。
该器件在15V栅极驱动、7A集电极电流条件下，最大导通压降仅为2.8V，配合42nC的低栅极电荷和85J的关断开关能量，有助于降低系统导通与开关损耗。其设计支持高达150°C的结温工作，最大功耗为80W，适用于对效率和可靠性有要求的功率转换场景。
- 型号:STGB7NB60HDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 14A 80W D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:14 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):56 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，7A
- 功率 - 最大值:80 W
- 开关能量:85J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:42 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/75ns
- 测试条件:480V，7A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):100 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
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