STGBL6NC60DIT4技术参数详情：
STGBL6NC60DIT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、14A IGBT，集成于DPak表面贴装封装内。该器件在15V栅极驱动下，饱和压降（Vce(on)）典型值低至2.9V @ 3A，配合12nC的低栅极电荷和优化的开关能量（Eon 32J, Eoff 24J），实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡，有助于提升系统整体能效。
其设计支持高达18A的脉冲电流，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗56W，确保了在严苛环境下的稳定运行。器件内置快速恢复二极管，反向恢复时间仅为23ns。这些特性使其非常适用于中功率等级的开关电源、电机驱动和工业变频器等需要高效、可靠功率开关的场合。
- 制造商产品型号：STGBL6NC60DIT4
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IGBT 600V 14A 56W D2PAK
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：PowerMESH
- 零件状态：停产
- IGBT类型：-
- 电压-集射极击穿（最大值）：600V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：14A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：18A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，3A
- 功率-最大值：56W
- 开关能量：32J（开），24J（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：12nC
- 25°C时Td（开/关）值：6.7ns/46ns
- 测试条件：390V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：23ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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