STGD10NC60SDT4技术参数详情：
STGD10NC60SDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、18A IGBT，集成于DPAK表面贴装封装中。该器件在15V栅极电压、5A集电极电流下的典型饱和压降仅为1.65V，具备优异的导通特性，同时其开关性能突出，开启与关断延迟时间短，反向恢复时间快至22ns，有效优化了开关损耗。
其设计兼顾了高电流处理能力（脉冲电流达25A）与60W的功率耗散水平，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的鲁棒性。这些参数使其成为中功率高频开关应用的理想选择，尤其适用于需要高效率与紧凑布局的电源转换和电机驱动系统。
- 型号:STGD10NC60SDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 18A 60W DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:18 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.65V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:60 W
- 开关能量:60J（导通），340J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:18 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/160ns
- 测试条件:390V，5A，10欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):22 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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