STGD3NB60SDT4技术参数详情：
STGD3NB60SDT4是ST意法半导体推出的一款采用PowerMESH技术的600V、6A IGBT，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于优异的导通与开关效率平衡，在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下，最大饱和压降仅为1.5V，同时关断开关能量低至1.15mJ，有助于降低系统整体损耗和电磁干扰。
该器件支持高达175°C的结温工作，最大功耗48W，具备良好的热可靠性。其标准输入特性和18nC的低栅极电荷简化了驱动电路设计。这些特性使其成为中小功率开关电源、电机驱动及工业能源转换系统中追求高功率密度和高可靠性的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGD3NB60SDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 6A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:6 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.5V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:48 W
- 开关能量:1.15mJ（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:18 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:125s/-
- 测试条件:480V，3A，1 千欧，15V
- 反向恢复时间 (trr):1.7 s
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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