STGD6M65DF2技术参数详情：
STGD6M65DF2是ST意法半导体推出的一款650V、12A沟槽栅场截止IGBT，集成了快速恢复二极管。该器件采用TO-252-3表面贴装封装，专为高效率和高功率密度应用而优化。
其核心优势在于优异的电气性能平衡：最大2V的低饱和压降确保了较低的导通损耗，而36J（开）和200J（关）的较低开关能量结合15ns/90ns的快速开关特性，使其非常适合高频开关操作。宽结温工作范围（-55°C ~ 175°C）则保证了其在各种环境条件下的可靠性。
- 型号:STGD6M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
- 功率 - 最大值:88 W
- 开关能量:36J（导通），200J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:21.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
- 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
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