STGD8NC60KDT4技术参数详情：
STGD8NC60KDT4是ST意法半导体推出的一款600V、15A N沟道IGBT，采用DPAK表面贴装封装。该器件隶属于高性能PowerMESH系列，在标准15V栅极驱动下，其最大饱和压降（Vce(on)）仅为2.75V @ 3A，有效降低了导通损耗。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（Td(on/off)典型值分别为17ns/72ns）和较低的开关能量（Eon 55J， Eoff 85J），有助于提升系统效率和工作频率。同时，19nC的低栅极电荷简化了驱动电路设计。该器件最大功耗62W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求紧凑布局和高可靠性的中功率开关应用。
- 型号:STGD8NC60KDT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 15A 62W DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:62 W
- 开关能量:55J（导通），85J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:19 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:17ns/72ns
- 测试条件:390V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):23.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 供应商器件封装:DPAK
- 现在可以订购STGD8NC60KDT4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
