STGF10M65DF2技术参数详情：
STGF10M65DF2是意法半导体推出的一款650V、20A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其优化的导通与开关性能，在10A电流下典型饱和压降仅为2V，同时具备快速的开关速度（开启/关断延迟分别为19ns/91ns）和较低的开关能量，有效降低了系统在导通与开关过程中的总损耗。
其设计兼顾了高可靠性与易用性，提供40A的脉冲电流能力，工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用标准电平栅极驱动。这些特性使其成为适用于工业级开关电源、UPS、光伏逆变器以及电机驱动等中高功率密度和高效率应用的优选功率开关解决方案。
- 型号:STGF10M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):40 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值:30 W
- 开关能量:120J（导通），270J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:28 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/91ns
- 测试条件:400V，10A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):96 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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