STGF20H60DF技术参数详情：
STGF20H60DF是ST意法半导体推出的一款高性能600V/40A IGBT，采用TO-220FP封装。其核心优势在于采用了沟槽型场截止技术，实现了低至2V @ 20A的饱和压降（Vce(on)）与较低的开关能量（Eon 209J， Eoff 261J），这直接提升了系统的导通效率并支持更高频率的开关操作。
该器件具备80A的脉冲电流处理能力和高达175°C的结温工作范围，确保了其在动态负载和高温环境下的可靠性。标准输入类型与115nC的栅极电荷使其易于驱动。这些特性使其成为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中功率变频和能量转换应用的理想选择。
- 型号:STGF20H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220FP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:37 W
- 开关能量:209J（导通），261J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:115 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:42.5ns/177ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):90 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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