STGF6M65DF2技术参数详情：
STGF6M65DF2是意法半导体推出的一款650V、12A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220FP封装。该器件核心优势在于其优化的导通与开关性能平衡，在15V栅极电压、6A电流条件下，最大饱和压降仅为2V，有效降低了导通损耗。
其开关特性突出，开启与关断延迟时间短，开关能量值较低，支持更高频率的开关操作，有助于提升系统功率密度并控制电磁干扰。宽结温工作范围（-55°C至175°C）与24.2W的功耗能力确保了其在工业级应用中的高可靠性，适用于电机驱动、光伏逆变器及UPS等高效功率转换系统。
- 型号:STGF6M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A TO-220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
- 功率 - 最大值:24.2 W
- 开关能量:36J（导通），200J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:21.2 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
- 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220FP
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