STGFW20H65FB技术参数详情：
STGFW20H65FB是ST意法半导体推出的一款650V、40A额定电流的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-3PFM通孔封装。该器件基于高效的沟槽型场截止技术，在15V栅极驱动、20A集电极电流条件下，通态压降典型值仅为2V，有效降低了导通损耗，其最大功耗为52W。
该IGBT具备优异的动态性能，开启与关断延迟时间分别为30ns和139ns，对应的开关能量较低，支持较高频率的开关操作。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，集电极脉冲电流能力达80A，确保了在过载及严苛温度环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为工业电机驱动、电源转换及新能源逆变等中等功率应用的高效解决方案。
- 型号:STGFW20H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-3PF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:52 W
- 开关能量:77J（导通），170J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/139ns
- 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3
- 供应商器件封装:TO-3PF
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