STGFW40H65FB技术参数详情：
STGFW40H65FB是ST意法半导体推出的一款650V、40A沟槽型场截止IGBT，采用TO-3P-3（ISOWATT218）通孔封装。该器件针对高效率功率开关应用进行了优化，在15V栅极驱动、40A集电极电流条件下，其饱和压降典型值仅为2V，有效降低了导通损耗。
其电气参数表现出强大的鲁棒性，集电极连续电流能力达80A，脉冲电流可达160A，并具备498J（开）和363J（关）的优化开关能量。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）与62.5W的最大功耗能力，确保了其在苛刻环境下的稳定运行与长寿命，适用于工业电机驱动、逆变系统等高要求领域。
- 型号:STGFW40H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-3PF-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:62.5 W
- 开关能量:498J（导通），363J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:TO-3PF-3
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