STGFW80V60F技术参数详情：
STGFW80V60F是STMicroelectronics推出的一款采用TO-3PF封装的沟槽型场截止IGBT。该器件额定电压为600V，连续集电极电流达120A，最大功耗79W，其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在15V栅压、80A电流条件下，其饱和压降典型值仅为2.3V，同时具备较低的开关能量（开启1.8mJ，关断1mJ）和快速的开关特性。
其宽结温工作范围（-55°C至175°C）和标准输入类型设计，确保了其在工业环境下的高可靠性与驱动简便性。这些特性使其非常适合应用于要求高效率和高功率密度的中高功率转换领域，如工业电机驱动、电源以及可再生能源逆变系统。
- 型号:STGFW80V60F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 120A TO-3PF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:79 W
- 开关能量:1.8mJ（导通），1mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:448 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/220ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
- 供应商器件封装:TO-3PF
- 现在可以订购STGFW80V60F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
