STGP12NB60KD技术参数详情：
STGP12NB60KD是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V/30A IGBT功率器件，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件集成了一个快速恢复二极管，提供了一个完整的开关解决方案。
其核心优势在于优异的电气性能平衡：600V的击穿电压和30A的连续电流处理能力确保了高功率应用的可靠性；而2.8V @ 12A的低饱和压降显著降低了导通损耗，有助于提升整体能效。同时，优化的开关特性，包括258J的关断能量和80ns的反向恢复时间，使其在变频和开关电源等动态应用中能实现快速、高效的功率切换。
该器件设计最大功耗为125W，最高结温达150°C，具备良好的热性能，适用于电机驱动、UPS、焊接及感应加热等工业功率控制领域。
- 型号:STGP12NB60KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 30A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:258J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:54 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:25ns/96ns
- 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):80 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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