STGP15H60DF技术参数详情：
STGP15H60DF是ST意法半导体的一款沟槽型场截止IGBT，集成了快速恢复二极管。其核心参数定义了强大的性能表现：600V的击穿电压与30A的连续电流能力提供了坚实的功率基础，而2V的低饱和压降（@15V，15A）则确保了导通状态下的高效率。
该器件在开关特性上同样出色，具备快速的开关速度（Td(on/off)分别为24.5ns/118ns）和较低的开关能量，这使其能在高频下稳定工作并减少开关损耗。TO-220-3封装和175°C的最大结温，则保证了其在各种应用环境中的散热可靠性与长期稳定性。
- 型号:STGP15H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 30A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:115 W
- 开关能量:136J（导通），207J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:81 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:24.5ns/118ns
- 测试条件:400V，15A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):103 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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