STGP15M120F3技术参数详情：
STGP15M120F3是ST意法半导体基于沟槽栅场截止技术开发的一款1200V、30A绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件旨在提供优异的效率与可靠性平衡，其核心优势在于较低的饱和压降（2.3V @ 15A, 15V）与优化的开关特性，开关能量分别为550J（开通）和850J（关断）。
其高达60A的脉冲电流能力和175°C的最大工作结温，确保了在动态负载和高温环境下的稳健运行。低至53nC的栅极电荷简化了驱动电路设计，有助于实现更高频率的开关操作。这些特性使其成为工业电机驱动、太阳能逆变器、UPS等中高功率电能转换应用的理想选择。
- 型号:STGP15M120F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，15A
- 功率 - 最大值:259 W
- 开关能量:550J（导通），850J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:53 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns
- 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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