STGP19NC60KD技术参数详情：
STGP19NC60KD是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V、35A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），隶属于高性能PowerMESH产品系列。该器件在15V栅极电压、12A集电极电流条件下的典型导通压降仅为2.75V，配合165J（开启）与255J（关断）的开关能量，实现了导通损耗与开关损耗的良好平衡，有助于提升系统整体能效。
其额定集电极脉冲电流（Icm）可达75A，具备较强的过载能力，且工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定运行。低至55nC的栅极电荷简化了驱动电路设计。这些特性使其成为工业电机驱动、变频电源、UPS及新能源逆变器等中功率转换应用的理想开关解决方案。
- 型号:STGP19NC60KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 35A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:35 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，12A
- 功率 - 最大值:125 W
- 开关能量:165J（导通），255J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:55 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/105ns
- 测试条件:480V，12A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):31 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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