STGP20V60F

STGP20V60F是ST意法半导体生产的一款有源沟槽型场截止IGBT单管，采用TO-220AB通孔封装。其核心电气参数定义了强大的功率处理能力：具备600V的集射极击穿电压和40A的最大连续集电极电流，脉冲电流能力更高达80A，最大功耗为167W。

该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。其在15V栅极驱动、20A集电极电流条件下的饱和压降（Vce(on)）典型值仅为2.2V，结合116nC的低栅极电荷，共同实现了较低的导通与驱动损耗。同时，其开关能量与时间参数（如200J开通能量，38ns/149ns的典型开关延迟）经过优化，有助于在高频开关应用中提升效率并控制温升，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。

• 型号:STGP20V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 40A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:200J（导通），130J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:116 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:38ns/149ns
• 测试条件:400V，20A，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
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