STGP30H60DFB技术参数详情：
STGP30H60DFB是意法半导体推出的一款采用沟槽栅场截止技术的单管IGBT。该器件核心优势在于其600V/60A的额定电压电流能力，结合低至2V @ 15V, 30A的饱和压降，有效降低了导通损耗。其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（典型Td(on)/Td(off)为37ns/146ns）与较低的开关能量，有助于提升系统效率与功率密度。
器件采用标准驱动，栅极电荷为149nC，便于驱动电路设计。TO-220-3封装提供良好的散热路径，最大功耗260W，且工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的可靠性与长寿命。这些参数使其成为工业电机驱动、UPS、太阳能逆变器等中高功率应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STGP30H60DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:260 W
- 开关能量:383J（导通），293J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:149 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):53 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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