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STGP30H65DFB2
- 制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:TO-220
- 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220
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STGP30H65DFB2技术参数详情：
- 型号:STGP30H65DFB2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:167 W
- 开关能量:270J（导通），310J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:90 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18.4ns/71ns
- 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):115 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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