STGP30M65DF2技术参数详情：
STGP30M65DF2是ST意法半导体生产的一款650V、30A沟槽型场截止IGBT，采用TO-220AB封装。该器件在15V栅极驱动、30A电流条件下，饱和压降典型值仅为2V，实现了优异的导通性能，有助于降低系统导通损耗。
其开关特性经过优化，具备快速的开关速度（开/关延迟典型值为31.6ns/115ns）和较低的开关能量，支持更高频率的开关操作，从而提升功率转换效率。结合高达175°C的结温工作范围与258W的功率处理能力，使其成为工业电机驱动、UPS及太阳能逆变器等中高功率应用的理想选择。
- 型号:STGP30M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:258 W
- 开关能量:300J（导通），960J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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