STGP3NB60KD技术参数详情：
STGP3NB60KD是ST意法半导体推出的一款采用TO-220封装的600V/10A IGBT单管，隶属于高性能的PowerMESH产品系列。该器件在15V栅极驱动、3A集电极电流条件下的典型饱和压降仅为2.8V，实现了优异的导通效率。
其开关特性经过优化，总栅极电荷低至14nC，开关能量与延迟时间均处于较低水平，支持高效的功率切换。器件最大功耗为50W，最高工作结温达150°C，并集成了反向恢复时间为45ns的快速恢复二极管，确保了系统在电机驱动、电源转换等应用中的可靠性与稳健性。
- 型号:STGP3NB60KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 600V 10A TO-220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.8V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值:50 W
- 开关能量:30J（导通），58J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:14 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/33ns
- 测试条件:480V，3A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):45 ns
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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