STGP5H60DF技术参数详情：
STGP5H60DF是ST意法半导体生产的一款沟槽栅场截止型IGBT，集成了快速恢复二极管。该器件额定电压为600V，连续集电极电流达10A，具备20A的脉冲电流能力，适用于中功率应用场景。
其核心技术优势在于优异的导通与开关特性平衡。在15V栅压、5A电流下，饱和压降最大值仅为1.95V，有效降低了导通损耗。同时，其开关能量低（开通56J，关断78.5J），开关速度快，支持高频操作。器件采用TO-220-3封装，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了设计的灵活性与可靠性。
- 型号:STGP5H60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-220
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:10 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):20 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，5A
- 功率 - 最大值:88 W
- 开关能量:56J（导通），78.5J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:43 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:30ns/140ns
- 测试条件:400V，5A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):134.5 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220
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