STGW25H120DF2技术参数详情：
STGW25H120DF2是ST意法半导体推出的一款高性能1200V、25A绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用TO-247封装。该器件基于沟槽型场截止技术，在提供高电压阻断能力的同时，实现了低至2.6V（@15V，25A）的导通压降，有效降低了导通损耗。
其开关特性突出，开关能量较低（开通600J，关断700J），并具备快速的开关速度（td(on) 29ns， td(off) 130ns），有助于在高频应用中减少开关损耗。该IGBT支持高达175°C的结温工作，最大功耗375W，并具备100A的脉冲电流能力，确保了在工业电机驱动、太阳能逆变器及UPS等 demanding 应用中的高可靠性和鲁棒性。
- 型号:STGW25H120DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:600J（导通），700J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:100 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
- 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):303 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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