STGW25H120F2

STGW25H120F2是ST意法半导体推出的一款高性能H系列绝缘栅双极型晶体管。该器件采用沟槽型场截止技术，提供了1200V的集射极击穿电压和25A的额定集电极电流，脉冲电流能力高达100A，确保了在高压大电流工况下的稳定运行。

其核心优势在于优异的能效表现，在25A电流下的典型饱和压降仅为2.6V，同时具备较低的开关能量（600J开，700J关）和快速的开关速度。这些特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得了良好平衡。器件采用标准TO-247-3封装，支持-55°C至175°C的宽结温范围，适用于对可靠性和效率有严苛要求的工业级功率转换应用。

• 型号:STGW25H120F2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.6V @ 15V，25A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:600J（导通），700J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:100 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns
• 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
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