STGW25M120DF3技术参数详情：
STGW25M120DF3是意法半导体生产的一款1200V、50A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。其核心优势在于优异的导通与开关损耗平衡，在25A电流下典型饱和压降仅为2.3V，同时具备快速的开关特性（开启延迟28ns）和较低的栅极电荷（85nC），有助于提升系统效率并简化驱动设计。
该器件最大功耗为375W，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，并支持100A的脉冲电流能力，确保了在高功率密度和动态负载应用中的鲁棒性与可靠性。这些特性使其成为工业驱动、新能源逆变及电源系统等高要求功率转换场景的理想选择。
- 型号:STGW25M120DF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，25A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:850J（导通），1.3mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:85 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns
- 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):265 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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