STGW30M65DF2技术参数详情：
STGW30M65DF2是ST意法半导体推出的一款高性能沟槽栅场截止IGBT，采用TO-247-3封装并集成续流二极管。其核心优势在于650V/60A的额定参数下，实现了低至2V@30A的饱和压降与低开关能量（300J开，960J关），有效平衡了导通损耗与开关损耗。
该器件具备120A的脉冲电流能力和高达175°C的工作结温，确保了出色的过载能力和高温可靠性。标准输入电平与80nC的栅极电荷使其易于驱动。这些特性使其成为工业电机驱动、UPS及太阳能逆变器等高频、高效率功率转换应用的优化解决方案。
- 型号:STGW30M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
- 功率 - 最大值:258 W
- 开关能量:300J（导通），960J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:80 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns
- 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):140 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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