STGW30N120KD技术参数详情：
STGW30N120KD是意法半导体PowerMESH系列中的一款1200V、60A IGBT功率器件，采用TO-247封装。其设计旨在提供优异的功率处理能力与开关效率平衡。
该器件的核心卖点包括高达1200V的击穿电压和60A的连续电流容量，确保了在高压大电流工况下的可靠性。其饱和压降低至3.85V（@15V，20A），结合优化的开关特性（如2.4mJ的开启能量），能显著降低导通与开关损耗，提升整体系统能效。集成的快速恢复二极管进一步简化了电路设计。
这些特性使其非常适合应用于对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的工业驱动、逆变及电源系统。
- 型号:STGW30N120KD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 1200V 60A TO-247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):100 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:3.85V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:220 W
- 开关能量:2.4mJ（导通），4.3mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:105 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:36ns/251ns
- 测试条件:960V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):84 ns
- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 现在可以订购STGW30N120KD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
