STGW30N90D技术参数详情：
STGW30N90D是ST意法半导体PowerMESH系列中的一款高压IGBT，采用TO-247封装。其核心电气参数定义了其在严苛应用环境下的性能边界：900V的集射极击穿电压和60A的连续集电极电流能力，确保了器件在高功率开关应用中的基本可靠性。
该器件的关键优势体现在其低导通损耗与均衡的开关性能上。在典型工作点（Vge=15V， Ic=20A）下，最大饱和压降仅为2.75V，有助于降低系统导通损耗。同时，其开关能量（Eon 1.66mJ， Eoff 4.44mJ）与开关时间参数经过优化，使其在数十kHz的开关频率下能维持较高的整体效率。220W的最大功耗和150°C的最高结温为散热设计提供了明确指导。
- 型号:STGW30N90D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT 900V 60A TO-247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:900 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):135 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.75V @ 15V，20A
- 功率 - 最大值:220 W
- 开关能量:1.66mJ（导通），4.44mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:110 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/275ns
- 测试条件:900V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):152 ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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