STGW50H65DFB2-4技术参数详情：
STGW50H65DFB2-4是意法半导体推出的一款650V、86A沟槽栅场截止型单管IGBT，隶属于HB2产品系列。该器件在15V栅压、50A电流下的典型饱和压降仅为2V，结合629J（开启）与478J（关断）的较低开关能量，实现了导通损耗与开关损耗的优异平衡，有助于提升系统整体效率。
其设计兼顾了高性能与鲁棒性，具备150A的脉冲电流处理能力和高达272W的功率容量，工作结温范围宽达-55°C至175°C。采用TO-247-4封装并集成开尔文发射极引脚，优化了驱动回路，支持更高频率和更稳定的开关操作。这些特性使其成为工业电机驱动、变频器、UPS及太阳能逆变器等中高功率应用的可靠核心开关元件。
- 型号:STGW50H65DFB2-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-247-4
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:86 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):150 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:272 W
- 开关能量:629J（导通），478J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:151 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:18ns/128ns
- 测试条件:400V，50A，12 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):92 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-4
- 供应商器件封装:TO-247-4
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