STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4是意法半导体HB系列中的一款高性能沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-4封装。该器件设计用于高效、可靠的功率开关应用，其核心电气参数包括650V的集射极击穿电压和80A的最大连续集电极电流，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流余量。

其技术亮点在于优异的导通与开关性能平衡。在60A电流、15V栅极驱动下，最大导通压降仅为2V，有助于降低导通损耗。同时，其开关能量与延迟时间（如65ns的开启延迟）经过优化，确保了快速的开关瞬态，有利于提升系统频率并降低开关损耗。结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，使其能够适应苛刻的工业环境。

• 型号:STGW60H65DFB-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-4
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:346J（导通），1.161mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:65ns/261ns
• 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):60 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
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