STGW80H65DFB-4技术参数详情：
STGW80H65DFB-4是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-4封装。其核心优势在于优异的电气特性平衡，在15V栅极驱动、80A电流条件下，饱和压降典型值低于2V，确保了低导通损耗。
该器件具备快速的开关性能，总开关能量低至3.6mJ，反向恢复时间仅为85ns，这使其非常适合高频开关应用，有助于提升系统功率密度和效率。其宽泛的结温工作范围（-55°C 至 175°C）和高达469W的功率处理能力，进一步保证了其在工业级高功率应用中的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STGW80H65DFB-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):85 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-4
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 现在可以订购STGW80H65DFB-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
