STGW80H65DFB技术参数详情：
STGW80H65DFB是ST意法半导体推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管，采用沟槽型场截止技术。其核心电气规格为650V集射极击穿电压与120A最大集电极电流，脉冲电流能力达240A，最大功耗为469W，为高功率应用奠定了坚实基础。
该器件的关键优势在于优异的导通与开关性能平衡。其在15V栅压、80A电流下的最大饱和压降仅为2V，同时开关能量较低（开启2.1mJ，关断1.5mJ），开关速度快（典型延迟时间84ns/280ns）。这些特性使其在高效能与高频开关应用中表现出色。器件采用TO-247通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在各种环境下的高可靠性与强大的散热能力。
- 型号:STGW80H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):85 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247
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