STGWA40H65FB技术参数详情:
STGWA40H65FB 是ST意法半导体生产的一款高性能沟槽型场截止IGBT,采用TO-247-3封装。其核心电气规格包括650V的集射极击穿电压和80A的连续集电极电流,为工业级功率应用提供了坚实的基础。
该器件的核心优势在于优异的导通与开关特性平衡。其在40A电流下的典型饱和压降仅为2V,有助于降低导通损耗。同时,优化的开关能量(开启498J,关断363J)和快速的开关速度,使其能在高频工况下高效运行,提升系统功率密度。宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)和高达283W的功耗处理能力,进一步确保了其在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STGWA40H65FB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2V @ 15V,40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498J(导通),363J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:40ns/142ns
- 测试条件:400V,40A,5 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 现在可以订购STGWA40H65FB,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。