STGWA40IH65DF技术参数详情：
STGWA40IH65DF是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽栅场截止型IGBT，隶属于IH产品系列。该器件采用先进的场截止技术，在650V击穿电压下实现了仅2V@40A的低饱和压降（Vce(on)），显著降低了导通损耗，同时其190J的关断能量与114nC的栅极电荷确保了高效的开关性能。
该IGBT提供120A的脉冲电流能力，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，采用TO-247-3通孔封装，最大功耗为238W。这些特性使其成为要求高可靠性、高效率与高功率密度的工业电源与电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STGWA40IH65DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:238 W
- 开关能量:190J（关）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:114 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/210ns
- 测试条件:400V，40A，22 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):-
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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