STGWA60H65DFB技术参数详情：
STGWA60H65DFB是ST意法半导体推出的一款650V、60A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件在15V栅极驱动、60A集电极电流条件下的最大饱和压降（Vce(on)）仅为2V，有效降低了导通损耗。其开关能量分别为1.59mJ（开启）和900J（关断），配合较低的栅极电荷（306nC），实现了快速、高效的开关性能。
该IGBT具备80A的连续集电极电流和240A的脉冲电流处理能力，最大功耗为375W，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在高负载和宽温度范围内的稳定运行。这些核心参数使其成为工业电机驱动、UPS、光伏逆变器等中高功率、高效率功率转换系统的理想选择。
- 型号:STGWA60H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:1.59mJ（导通），900J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:306 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/210ns
- 测试条件:400V，60A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):60 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247-3
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