STGWA60V60DF技术参数详情:
STGWA60V60DF是ST意法半导体推出的一款采用沟槽型场截止技术的600V/60A IGBT单管,封装为TO-247-3。其核心优势在于优异的电气性能平衡:高达600V的击穿电压与80A的连续电流能力确保了强大的功率处理能力,而2.3V @ 15V, 60A的低饱和压降则显著降低了导通损耗。
该器件在动态特性上也表现突出,开关能量(开/关:750J/550J)和开关延迟时间经过优化,有助于提升系统开关频率并降低开关损耗。宽广的结温工作范围(-55°C ~ 175°C)和375W的最大功耗,使其能够适应苛刻的热环境,满足工业电机驱动、变频器、UPS及新能源逆变器等中高功率应用对高效率和高可靠性的严苛要求。
- 型号:STGWA60V60DF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
- 功率 - 最大值:375 W
- 开关能量:750J(导通),550J(关断)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:334 nC
- 25°C 时 Td(开/关)值:60ns/208ns
- 测试条件:400V,60A,4.7 欧姆,15V
- 反向恢复时间 (trr):74 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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