STGWA80H65DFB技术参数详情：
STGWA80H65DFB是ST意法半导体生产的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT，采用TO-247-3封装。该器件集成了高击穿电压与低导通损耗特性，其Vce(on)在80A电流下典型值仅为2V，有助于提升系统整体效率。
器件具备快速的开关性能，开启与关断延迟时间分别为84ns和280ns，开关能量较低，适用于高频开关应用。其宽泛的结温工作范围（-55°C至175°C）和469W的最大功耗能力，确保了在工业环境下的高可靠性运行。
- 型号:STGWA80H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，80A
- 功率 - 最大值:469 W
- 开关能量:2.1mJ（导通），1.5mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:414 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:84ns/280ns
- 测试条件:400V，80A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):85 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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